Pokrok v technologiích výroby tranzistorů
Známá společnost Intel minulý týden oznámila, že se ji povedlo ještě více miniaturizovat tranzistory. Pokořili magickou hranici pětačtyřiceti nanometrů, čili 45 miliardtin metrů. Stavební kámen počítačových čipů vyrobený novou technologií je zhruba o třetinu menší než současné tranzistory
Gordon Moor, jeden ze zakladatelů Intelu, v roce 1965 řekl, že „Složitost součástek se každý rok zdvojnásobí při zachování stejné ceny.“ Ač jeho prognóza zatím příliš na pravdivosti neztratila, nastává doba, kdy se konstruktéři klasických součástek dostávají do nesnází. Mooreův zákon, jak se mu říká, by při používání stávajících technologií přestal vcelku brzy platit.
Intelu i konkurenčnímu AMD se s úspěchem dařilo vyrábět součástky s geometrií pohybující se kolem devadesáti nanometrů. Na menších měřítkách se už ale objevovaly fyzikální problémy s únikem elektrického proudu. I tak je do jisté míry úspěšně překonali a sestoupili až k hranici 65 nanometrů.
Dnes Intel pokročil ještě dále. Základním kamenem úspěchu se stal prvek zvaný hafnium, který v použité sloučenině má mnohem lepší izolační vlastnosti než několik desetiletí používaný oxid křemičitý. Znatelně se v součástkách snížila produkce tepla, čímž se klesla i energetická spotřeba.
Intel slibuje, že čipy vyrobeny touto technologií budou o dvacet procent výkonnější. A nejen to, další technologická novinka, která s tím souvisí, umožní zvýšit hustotu tranzistorové sítě na dvojnásobek.
Podle Intelu první masovější výroba těchto titěrných součástek proběhne už během letošního roku.
VLOŽIT KOMENTÁŘ